1Yüksek saflıklı yarı yalıtımlı 4H-SiC (silikon karbid) levhalar çok ideal yarı iletken malzemelerdir.
2Yarım yalıtımlı 4H-SiC levhası yüksek sıcaklıklı piroliz, kristal büyümesi ve kesim süreci ile hazırlanır.
3Yüksek saflıklı yarı yalıtılmış 4H-SiC levhaları daha düşük taşıyıcı konsantrasyonuna ve daha yüksek yalıtım özelliklerine sahiptir.
4. 4H-SiC altıgen bir ızgaradır. Bu kristal yapısı 4H-SiC'ye mükemmel fiziksel ve elektrik özellikleri verir.
5Süreç, silikon levhaların tutarlı bir yapıya sahip olmasını sağlamak için hammaddelerin yüksek saflığını ve hassasiyeti gerektirir.
ÖzellikleriHP 4H yarı SIC:
Yüksek saflıklı yarı yalıtılmış 4H-SiC (silikon karbid) levhası ideal bir yarı iletken malzemesidir:
1Bant boşluğu genişliği: Genel olarak, 4H-SiC yaklaşık 3.26 elektron volt (eV) geniş bir bant boşluğu genişliğine sahiptir.
2Sıcaklık istikrarı ve yalıtım özellikleri nedeniyle, 4H-SiC geniş bir sıcaklık aralığında çalışabilir.
34H-SiC, nükleer enerji ve yüksek enerji fizik deneylerinde kullanılan radyasyona karşı yüksek dayanıklılığa sahiptir.
44H-SiC yüksek sertliğe ve mekanik dayanıklılığa sahiptir, bu da mükemmel bir istikrar ve güvenilirliğe sahiptir.
54H-SiC, 100-800 santimetre kare aralığında yüksek bir elektron hareketliliğine sahiptir.
6Yüksek ısı iletkenliği: 4H-SiC, yaklaşık 490-530 watt/m-kelle (W/(m·K) çok yüksek bir ısı iletkenliğine sahiptir.
7Yüksek gerilim direnci: 4H-SiC, yüksek gerilim uygulamaları için uygun hale getiren mükemmel gerilim direnciye sahiptir.
Teknik parametrelerHP 4H yarı SIC:
|
Üretim |
Araştırma |
Aptal. |
Türü |
4 saat |
4 saat |
4 saat |
Direnç9 ((Ohm·cm) |
≥1E9 |
%100 alan>1E5 |
%70 alan>1E5 |
Çapraz |
99.5~100mm |
99.5~100mm |
99.5~100mm |
Kalınlığı |
500±25μm |
500±25μm |
500±25μm |
Eksen üzerinde |
<0001> |
<0001> |
<0001> |
Eksen dışı |
0 ± 0,25° |
0 ± 0,25° |
0 ± 0,25° |
İkincil düz uzunluk |
18 ± 1,5 mm |
18 ± 1,5 mm |
18 ± 1,5 mm |
TTV |
≤5μm |
≤ 10μm |
≤ 20μm |
LTV |
≤2μm ((5mm*5mm) |
≤5μm ((5mm*5mm) |
NA |
Yere kapanın. |
-15μm~15μm |
-35μm~35μm |
-45μm~45μm |
Warp. |
≤ 20μm |
≤ 45μm |
≤ 50μm |
Ra(5μm*5μm) |
Ra≤0,2nm |
Ra≤0,2nm |
Ra≤0,2nm |
Mikropip yoğunluğu |
≤1ea/cm2 |
≤5ea/cm2 |
≤10ea/cm2 |
Kenar |
Çamfer |
Çamfer |
Çamfer |
Yüksek saflıklı yarı yalıtılmış 4H-SiC (silikon karbid) levhaları birçok alanda yaygın olarak kullanılır:
1Optoelektronik cihazlar: Yarım yalıtımlı 4H-SiC, optoelektronik cihazların üretiminde yaygın olarak kullanılır.
2RF ve mikrodalga cihazları: Yarım yalıtımlı 4H-SiC'nin yüksek elektron hareketliliği ve düşük kaybı özellikleri.
3Diğer alanlar: Yarım yalıtımlı 4H-SiC, radyasyon dedektörleri gibi diğer alanlarda da bazı uygulamalara sahiptir.
4Yüksek ısı iletkenliği ve mükemmel mekanik dayanıklılığı nedeniyle 4H-yarı SiCAşırı sıcaklıklarda.
5Güçlü elektronik cihazlar: Yarım yalıtımlı 4H-SiC, yüksek güçlü güç cihazlarının üretiminde yaygın olarak kullanılır.
HPSI hakkında sık sorulan sorular4H yarı SIC:
S: Marka adı nedir?HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: Marka adıHPSI 4 saatlik yarı SICZMSH.
S: Sertifikasyon nedir?HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: SertifikasyonHPSI 4 saatlik yarı SICROHS'dir.
S: Ürünlerin kökeni nerede?HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: Doğum yeriHPSI 4 saatlik yarı SICÇin.
S: MOQ nedir?Bir seferde HPSI 4 saatlik yarı SIC?
A: MOQHPSI 4 saatlik yarı SICBir seferde 25 adet.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın