|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | zmsh |
| Sertifika | ROHS |
| Model numarası | 6İNÇ GaAs gofret |
10x10mm Galyum oksit substrat monoklin yapısı
-------------------------------------------------- -------------------------------------------------- --------------------------
Kararlı durumdaki galyum oksit kristali, iki bölünme düzlemi (100) ve (001) olan bir monoklinal yapıya sahiptir.Büyüme süreci söz konusu olduğunda, (100) kristal fazlı galyum oksit kristalinin büyüme sürecinin büyümesi daha kolayken, (001) kristalinin büyüme süreci son derece yüksek süreç kontrolü gerektirir.Aynı işleme koşulları altında, (001) yüzeyinin yüzey kalitesi ve verimi daha iyidir ve (100) yüzeyi kolayca yarılır ve kırılır, bu da verimli ve yüksek yüzey kaliteli işleme elde etmeyi zorlaştırır.Uygulama açısından, ana (001) kristal fazlı galyum oksit, güç yarı iletken cihazlarının kullanımı için daha uygundur, bu nedenle ana (001) kristal fazlı galyum oksit kristalinin büyümesini kontrol etmek zordur, ancak büyük endüstriyel özelliklere sahiptir. değeri veya büyük boyutlu ana (001) kristal faz galyum oksit büyüme sürecine sahip değil, galyum oksit pazar uygulama tarafında süreci teşvik etmek son derece zor olacaktır.
Galyum oksidi (Ga2O3) tanıtmadan önce, başka bir terimi tanıtmama izin verin: geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler.
Bant aralığı genişliği, yarı iletkenin önemli bir karakteristik parametresidir.Yarı iletken malzemelerin farklı bant yapısına göre, yarı iletken malzemeler iki türe ayrılabilir: geniş bant aralığı ve dar bant aralığı.Yarı iletken malzemenin bant aralığı genişliği 2.3eV'den az ise buna dar bant aralıklı yarı iletken denir.Yarı iletken malzemenin bant aralığı genişliği 2.3eV'den büyük veya eşitse, geniş bant aralıklı yarı iletken olarak adlandırılır.Bir yarı iletken malzemenin bant aralığı ne kadar geniş olursa, elektronlarının iletkenlik bandına geçmesi için gereken enerji o kadar büyük olur ve bu nedenle malzemenin dayanabileceği sıcaklık ve voltaj ne kadar yüksek olursa, iletken olması o kadar kolay olmaz. .
Geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler, iyi radyasyon direncine ve kimyasal stabiliteye, yüksek doymuş elektron sürüklenme hızına ve termal iletkenliğe, mükemmel elektriksel özelliklere sahip radyasyon direnci, yüksek frekans, yüksek güç ve yüksek yoğunluklu entegre elektronik cihazların üretimi için çok uygundur. diğer özellikler.Son yıllarda hızla gelişen geniş bant aralıklı yarı iletken malzemeler, yarı iletken aydınlatma, yeni nesil mobil iletişim, akıllı şebeke, yüksek hızlı demiryolu taşımacılığı, yeni enerji araçları, tüketici elektroniği ve diğer alanlarda geniş uygulama beklentilerine sahiptir ve beklenmektedir. bilgi, enerji, ulaşım, milli savunma ve diğer endüstrilerin gelişimini destekleyen kilit yeni malzemeler haline geliyor.Geniş aralıklı yarı iletken malzemelerin ilgili teknoloji araştırması ve geliştirilmesi, küresel yarı iletken endüstrisinde yeni bir stratejik alan haline geliyor.
| Oryantasyon | 100 | 100 | 100 |
| Doping | UID | Mg | fe |
| elektriksel parametre |
1×1017~3×1018cm-3
|
≥1010Ω·cm
|
≥1010Ω·cm
|
|
arksek
|
≤150 | ≤150 | ≤150 |
| dislokasyon yoğunluğu | ＜1×105 cm-2 | ＜1×105 cm-2 | ＜1×105 cm-2 |
ZMKJ HAKKIMIZDA
S: Adedi nedir?
(1) Envanter için minimum sipariş miktarı 5 adettir.
(2) Özelleştirilmiş ürünler için minimum sipariş miktarı 10 adet-30 adettir.
S: Malzeme için muayene raporunuz var mı?
Ürünlerimiz için detay raporu sağlayabiliriz.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
