Düşük EPD'li 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç N Tipi GE Germanyum Gofret

Düşük EPD'li 2 inç 3 inç 4 inç 6 inç N Tipi GE Germanyum Gofret

ge gofret

Germanyum, yarı iletken cihazlar ve kızılötesi optik cihazlar yapmak için kullanılan malzemedir.Katı hal fiziği ve katı hal elektroniğinin geliştirilmesinde önemli bir rol oynar.Germanyumun erime yoğunluğu 5.32g/cm3'tür, germanyum ince saçılmış bir metal olarak sınıflandırılabilir, germanyum kimyasal kararlılığı, oda sıcaklığında hava veya su buharı ile etkileşime girmez, ancak 600~700 ℃'de germanyum dioksit hızla üretilir. .Hidroklorik asit, seyreltik sülfürik asit ile çalışmaz.Konsantre sülfürik asit ısıtıldığında, germanyum yavaşça çözülür.Nitrik asit ve aqua regia'da germanyum kolayca çözülür.Alkali solüsyonunun germanyum üzerindeki etkisi çok zayıftır, ancak havadaki erimiş alkali, germanyumun hızla çözünmesine neden olabilir.Germanyum karbon ile çalışmaz, bu nedenle bir grafit potada eritilir ve karbon tarafından kirlenmez.Germanyum, elektron hareketliliği, delik hareketliliği vb. gibi iyi yarı iletken özelliklere sahiptir.Germanyum gelişimi hala büyük bir potansiyele sahiptir.

Şartname

Ürün teşhiri

büyüme yöntemi

Germanyum substratının büyüme yöntemi aşağıdaki adımlardan oluşur: destekleyici bir substratın sağlanması, destekleyici substrat bir kristal malzemedir;Birinci germanyum kristal tabakası, destekleyici substratın yüzeyinde birinci sıcaklık epitaksisi ile büyütülür.İkinci germanyum kristal tabakası, birinci germanyum kristal tabakasının yüzeyinde ikinci sıcaklık epitaksisi ile büyütülür ve birinci sıcaklık, ikinci sıcaklıktan daha düşüktür.Mevcut buluşun avantajları, bir tür düşük sıcaklıkta germanyum epitaksiyel büyüme süreci ortaya koymaktır, her şeyden önce, bir germanyum tabakası tabakası, düşük sıcaklıkta büyüme germanyum epitaksiyel büyüme hızı düşüktür, iki boyutlu bir büyüme özellikleri ve tam gevşeme, düşük sıcaklıkta bu ince germanyum tabakası tabakası birçok kusura sahiptir, stres gevşemesine ve dislokasyon imhasına eğilimlidir, ardından yüksek sıcaklıkta büyüyen bir germanyum epitaksiyel tabakası tabakası, tabaka büyüme hızı, Yüksek kristal kütleli ve tamamlanmış tek kristal germanyum tabakası gevşeme sağlanabilir.