Ev
>
Ürünler
>
İndiyum Fosfür Gofret
>
|
| Menşe yeri | Çin |
| Marka adı | ZMSH |
| Sertifika | ROHS |
| Model numarası | InSb Gofretler |
Açıklama:
1Indium antimonür, kızılötesi spektrumuna ait olan doğrudan bant boşluğu yarı iletken bir malzemedir.
2Indiyum antimonür (InSb), indiyum (In) ve antimon (Sb) elementlerinden oluşan bir bileşik yarı iletken malzemedir.
3Indium antimonür ayrıca yüksek hızlı elektroniklerde ve düşük gürültülü amplifikatörlerde yüksek taşıyıcı hareketliliğine ve düşük gürültü özelliklerine sahiptir.
4Kimyasal formülü InSb'dir. Indium antimonür, özel elektronik ve optik özelliklere sahip önemli bir yarı iletken malzemedir.
Bu nedenle, optoelektronik ve elektronik alanında geniş bir uygulama yelpazesi vardır.
5Ek olarak, indiyum antimonür, kuantum kuyu yapıları ve kuantum nokta cihazları gibi kuantum efekt cihazlarında da kullanılabilir.
Kuantum sınırlama etkileri ve kuantum ayarlama özellikleri gibi mükemmel kuantum özellikleri nedeniyle.
1Hızlı tepki: InSb dedektörünün hızlı bir tepki süresi vardır ve gerçek zamanlı olarak kızılötesi radyasyon sinyalleri değişikliklerini yakalayabilir.
2Düşük gürültü: InSb malzemeleri, net kızılötesi görüntüler ve doğru spektral bilgi sağlayabilen düşük gürültü seviyelerine sahiptir.
3Yüksek duyarlılık: InSb malzemesi, kızılötesi radyasyonu etkili bir şekilde algılayabilen ve dönüştürebilen orta kızılötesi bandında yüksek duyarlılığa sahiptir.
4Düşük sıcaklıkta çalışmak: InSb dedektörlerinin genellikle daha düşük sıcaklıklarda çalışması gerekir, genellikle 77K (sıvı nitrojen sıcaklığı) altında
5Geniş bant aralığı: InSb malzemelerinin geniş bir kızılötesi radyasyon indüksiyon aralığı vardır.Orta kızılötesi bantı (genellikle 2-5 mikron) ve uzun dalga kızılötesi bantının bir kısmını (yaklaşık 10 mikrona kadar) kapsayabilir.
Teknik parametreler:
| Tek kristal | InSb |
| Çapraz | 2 ′′ 3 ′′ ((+/- 0,3 mm) |
| Kalınlığı | 500/600 ((+/-25um) |
| Dopant | Hiçbiri |
| İletişim türü | N |
| Taşıyıcı konsantrasyonu ((cm-3) | <3E15 |
| Dislokasyon yoğunluğu ((cm-2) | <2*102 |
| Düğüm Sabiti | 0.648nm |
| Moleküler ağırlık | 236.58 |
| Erim noktası | 527°C |
| yoğunluk | 5.78g/cm3 |
| Bant Arası | 0.17eV ((300K) |
| 0.23eV ((80K) |
Uygulamalar:
| Kızılötesi görüntüleme | InSb kristal malzemeleri kızılötesi görüntülemede yaygın olarak kullanılır. |
| Yüksek hızlı elektronik cihaz | Yüksek taşıyıcı hareketliliği ve düşük elektronik kaliteleri nedeniyle, yüksek hızlı elektronik cihazların üretimi için kullanılabilir. |
| Spektrometre ve optik | InSb kristal malzemeleri kızılötesi ışınların üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır. radyasyon dedektörleri. |
| Spektral analiz | InSb kristal malzemeleri, kızılötesi bandında şeffaflıkları ve yüksek hassasiyetleri nedeniyle kızılötesi spektral analiz için kullanılabilir. |
| Kuantum kuyusu aygıtı | InSb çipinin kuantum kuyu yapısını kullanarak, bir dizi kuantum kuyu cihazı üretilebilir. |
| Radyasyon tespiti | InSb kristal malzemeleri kızılötesi ışınların üretiminde yaygın olarak kullanılmaktadır. radyasyon dedektörleri. |
| Termoelektrik malzeme | InSb yongaları, termoelektrik güç üretimi ve sıcaklık ölçümü gibi uygulamalar için termal enerjiyi elektriğe dönüştürebilir. |
Diğer ilgili ürün:
SIC Wafers:
Sıkça sorulan sorular:
S: Sertifikasyon nedir?Te-InSb?
A: SertifikasyonTe-InSbROHS'dir.
S: Marka adı nedir?Te-InSb?
A: Marka adıTe-InSbZMSH.
S: Ürünlerin kökeni nerede?Te-InSb?
A: Doğum yeriTe-InSbÇin.
S: MOQ nedir?Tek seferde Te-InSb?
A: MOQTe-InSbBir seferde 25 adet.
İstediğiniz Zaman Bize Ulaşın
